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FJN3314RTA Technische Spezifikationen

FJN3314RTA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Weight 240mg
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Current Rating 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 68
Continuous Collector Current 100mA
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position BOTTOM
Base Part Number FJN3314
Polarity NPN
Power Dissipation 300mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 300mV
Frequency - Transition 250MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 10V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
Length 5.2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Andere schließen ein   "FJN33"   Teile

Die folgenden Teile umfassen  'FJN33' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJN3301 FAIRCH Spezialisierte heiße ICs 2692
FJN3301RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2738
FJN3301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2530
FJN3301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
FJN3301RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2647
FJN3301RTA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
FJN3302RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2629
FJN3302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2565
FJN3302RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJN3302RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2184

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FJN3314RTA Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FJN3314RTA Referenzpreis. FJN3314RTA Parameter, FJN3314RTA Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FJN3314RTA Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FJN3314RTA Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FJN3314RTA Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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