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FJN4307RTA Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-92-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Packaging Tape & Box (TB)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJN4301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2704
FJN4301RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2518
FJN4301RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJN4301RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2679
FJN4301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2715
FJN4301RTA ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJN4302RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2580
FJN4302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2562
FJN4302RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJN4302RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 18000

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