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FJN4314RBU Technische Spezifikationen

Transistors Switching - Resistor Biased 40V/100mA/4.7K 47K

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 300mW
Polarity PNP
Power Dissipation 300mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Frequency - Transition 200MHz
hFE Min 68
Continuous Collector Current -100mA
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -50V
Current Rating -100mA
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) -10V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJN4301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2704
FJN4301RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2518
FJN4301RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJN4301RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2679
FJN4301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2715
FJN4301RTA ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJN4302RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2580
FJN4302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2562
FJN4302RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJN4302RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 18000

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