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FJNS3202RTA Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Packaging Tape & Box (TB)
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 50V
Current Rating 100mA
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 10V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 300mW
Polarity NPN
Power Dissipation 300mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Frequency - Transition 250MHz
hFE Min 30
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJNS3201RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2729
FJNS3201RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2689
FJNS3201RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS3201RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2571
FJNS3201RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2741
FJNS3201RTA Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS3201RTA ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS3202RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2618
FJNS3202RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2690
FJNS3202RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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