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FJNS3203RTA Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Packaging Tape & Box (TB)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJNS3201RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2729
FJNS3201RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2689
FJNS3201RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS3201RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2571
FJNS3201RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2741
FJNS3201RTA Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS3201RTA ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS3202RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2618
FJNS3202RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2690
FJNS3202RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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