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FJNS4210RBU Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-92S
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Frequency - Transition 200MHz
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJNS4201RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2658
FJNS4201RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2743
FJNS4201RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS4201RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2524
FJNS4201RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2580
FJNS4201RTA ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS4202R FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2587
FJNS4202RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2507
FJNS4202RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2789
FJNS4202RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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