FJP13009 Technische Spezifikationen

FJP13009 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 100W
Current Rating 12A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation 100W
Gain Bandwidth Product 4MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 12A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Breakdown Voltage 400V
Collector Base Voltage (VCBO) 700V
hFE Min 6
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Weight 1.8g
Operating Temperature 150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 400V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Frequency 4MHz
Base Part Number FJP13009
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5A 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 3A, 12A
Transition Frequency 4MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 9V
RoHS Status RoHS Compliant
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FJP13003H2 FSC Spezialisierte heiße ICs 27798
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FJP13007 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1699
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