FJP5355TU Technische Spezifikationen

FJP5355TU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -65°C
Max Power Dissipation 50W
Frequency 4MHz
Polarity NPN
Power Dissipation 50W
Gain Bandwidth Product 4MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 440V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 7 @ 2.5A 2V
Collector Emitter Breakdown Voltage 440V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Collector Base Voltage (VCBO) 900V
hFE Min 15
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 500V
Current Rating 5A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 50W
Transistor Type NPN
Max Collector Current 5A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 800mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V
Frequency - Transition 4MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 14.5V
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJP5304D AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2781
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FJP5304DTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2806
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