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FJV3107RMTF Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
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FJV3101RLIMTF FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 4101
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FJV3101RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 993875
FJV3101RMTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJV3102RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 42941
FJV3102RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 42941
FJV3102RMTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJV3103RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 132094
FJV3103RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 71263
FJV3103RMTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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