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FJX3009RTF Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SC-70 (SOT323)
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Frequency - Transition 250MHz
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJX3001RTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 98600
FJX3001RTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 98600
FJX3001RTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJX3001RTF Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
FJX3002RTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 71370
FJX3002RTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 8441
FJX3002RTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJX3003RTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 42000
FJX3003RTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 42000
FJX3003RTF Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren

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