FMG2G300US60E Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Chassis Mount, Panel
Package / Case 7PM-HA
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 300A
Element Configuration Dual
Input Standard
Max Collector Current 300A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 300A
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 7
Packaging Box
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 892W
Configuration Half Bridge
Power Dissipation 892W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Current - Collector Cutoff (Max) 250μA
Collector Emitter Saturation Voltage 2.1V
NTC Thermistor No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FMG2G100LLS120 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2701
FMG2G100US120 FAIRCHILD IGBT-Module 2869
FMG2G100US120E FAIRCHILD IGBT-Module 2642
FMG2G100US60 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Module 317
FMG2G100US60 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Module 1445
FMG2G100US60 ON Semiconductor IGBT-Module
FMG2G100US60A FAIRCHILD IGBT-Module 2671
FMG2G150US060 FAIRCHILD IGBT-Module 2718
FMG2G150US120 FCS IGBT-Module 2849
FMG2G150US60 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Module 2813

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