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FMG2G75US120 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE 1200V 75A 445W 7PMGA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Chassis Mount
Package / Case 7PM-GA
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 1.2kV
Current Rating 75A
Element Configuration Dual
Input Standard
Max Collector Current 75A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 3V
NTC Thermistor No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 445W
Configuration Half Bridge
Power Dissipation 445W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FMG2G100LLS120 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2701
FMG2G100US120 FAIRCHILD IGBT-Module 2869
FMG2G100US120E FAIRCHILD IGBT-Module 2642
FMG2G100US60 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Module 317
FMG2G100US60 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Module 1445
FMG2G100US60 ON Semiconductor IGBT-Module
FMG2G100US60A FAIRCHILD IGBT-Module 2671
FMG2G150US060 FAIRCHILD IGBT-Module 2718
FMG2G150US120 FCS IGBT-Module 2849
FMG2G150US60 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Module 2813

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