FPF2G120BF07AS Technische Spezifikationen

Trans IGBT Module N-CH 650V 40A 17-Pin Case F2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 17
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
HTS Code 8542.39.00.01
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Configuration 3 Independent
Input Standard
Max Collector Current 40A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor Yes
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case Module
Weight 45g
Published 2014
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 156W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 156W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
Current - Collector Cutoff (Max) 250μA
Isolation Voltage 2.5kV
IGBT Type Field Stop
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FPF2G120BF07AS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Module 2738
FPF2G120BF07AS Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Module 2699
FPF2G120BF07ASP Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Module 2774
FPF2G120BF07ASP AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Module 2508
FPF2G120BF07ASP ON Semiconductor IGBT-Module
FPF2G75FH07AP ON Semiconductor Leistungsschalter-ICs
FPF2G75FH07BP ON Semiconductor Leistungsschalter-ICs

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