FQA140N10 Technische Spezifikationen

FQA140N10 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 10mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 375W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10m Ω @ 70A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 285nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 360 ns
Continuous Drain Current (ID) 140A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 560A
Length 15.8mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 140A
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 75 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 140A Tc
Rise Time 940ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 350 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 18.9mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQA140N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1438
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