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FQA160N08 Technische Spezifikationen

FQA160N08 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2000
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 80V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 375W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 410 ns
Continuous Drain Current (ID) 160A
Drain-source On Resistance-Max 0.007Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 640A
Length 15.8mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 160A
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 85 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A Tc
Rise Time 970ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 260 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
Height 18.9mm
Width 5mm
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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