FQA30N40 Technische Spezifikationen

FQA30N40 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 290W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 170 ns
Continuous Drain Current (ID) 30A
Drain to Source Breakdown Voltage 400V
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 140MOhm
Voltage - Rated DC 400V
Current Rating 30A
Power Dissipation-Max 290W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 80 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Tc
Rise Time 320ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 190 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Height 6.35mm
Width 6.35mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQA30N40 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10361
FQA30N40 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2423
FQA30N40 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 434

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