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FQD13N10TM Technische Spezifikationen

FQD13N10TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 10A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Tc
Rise Time 55ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 95 mJ
Length 6.6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 180mOhm
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 40W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 10A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
Height 2.3mm
Width 6.1mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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FQD13N10TM Unterlagen

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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQD13N06 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 13227
FQD13N06 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 11407
FQD13N062 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 793
FQD13N06L FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 67076
FQD13N06L MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1553
FQD13N06L-E3 Original Spezialisierte heiße ICs 3000
FQD13N06LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 40132
FQD13N06LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5599
FQD13N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 47343
FQD13N06LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 47343

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FQD13N10TM Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQD13N10TM Referenzpreis. FQD13N10TM Parameter, FQD13N10TM Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQD13N10TM Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQD13N10TM Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQD13N10TM Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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