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FQD30N06TM Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45m Ω @ 11.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 945pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 22.7A
Drain-source On Resistance-Max 0.045Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 44W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22.7A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±25V
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 90.8A
Avalanche Energy Rating (Eas) 280 mJ
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQD30N06 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 114864
FQD30N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 16717
FQD30N06L F Spezialisierte heiße ICs 2870
FQD30N06L MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 13019
FQD30N06LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
FQD30N06LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32363
FQD30N06LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 436
FQD30N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 37804
FQD30N06LTM-NL FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 1604
FQD30N06TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32368

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