FQD5N60CTM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 2.5Ohm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 5A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A Tc
Rise Time 42ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 600V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 49W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ω @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 46 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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