FQD5P20TM Technische Spezifikationen

FQD5P20TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 1.4Ohm
Voltage - Rated DC -200V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 45W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ω @ 1.85A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating -3.7A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A Tc
Rise Time 70ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.7A
Drain to Source Breakdown Voltage -200V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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