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FQP2N90 Technische Spezifikationen
FQP2N90 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 2.2A |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 85W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A Tc |
Rise Time | 35ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 8.8A |
Length | 10.1mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 1.8g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 7.2MOhm |
Voltage - Rated DC | 900V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 85W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 Ω @ 1.1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 30 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2.2A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 900V |
Height | 9.4mm |
Width | 4.7mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQP2N90 Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für FQP2N90
-
Datenblätter
Andere schließen ein "FQP2N" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'FQP2N'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
FQP2N30 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 6174 |
FQP2N30 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 980 |
FQP2N40 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 16001 |
FQP2N40 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 631 |
FQP2N40-F080 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2617 |
FQP2N40-F080 | ON Semiconductor | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
FQP2N50 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5000 |
FQP2N50 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5000 |
FQP2N50 | Rochester Electronics, LLC | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
FQP2N60 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 11387 |
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