FQP3N80C Technische Spezifikationen

FQP3N80C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 4.8Ohm
Voltage - Rated DC 800V
Current Rating 3A
Power Dissipation-Max 107W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Tc
Rise Time 43.5ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 22.5 ns
Threshold Voltage 5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 800V
Nominal Vgs 5 V
Length 10.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 107W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 Ω @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 705pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 32 ns
Continuous Drain Current (ID) 3A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Dual Supply Voltage 800V
Height 9.4mm
Width 4.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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