FQP7N20 Technische Spezifikationen

FQP7N20 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 63W Tc
Power Dissipation 63W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690m Ω @ 3.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 35 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.6A
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Part Status Active
Voltage - Rated DC 200V
Current Rating 6.6A
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A Tc
Rise Time 65ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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