FQP9N50C Technische Spezifikationen

FQP9N50C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 9A
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 135W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 64 ns
Continuous Drain Current (ID) 9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.8Ohm
Dual Supply Voltage 500V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 500V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 135W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Tc
Rise Time 65ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 93 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Nominal Vgs 4 V
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQP9N08 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8980
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