FQP9P25 Technische Spezifikationen

FQP9P25 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 620mOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 120W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620m Ω @ 4.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 45 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage -250V
Height 16.3mm
Width 4.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -250V
Current Rating -9.4A
Power Dissipation-Max 120W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A Tc
Rise Time 150ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 65 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.4A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 650 mJ
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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FQP9P25 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2965
FQP9P25 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 331

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