FQPF65N06 Technische Spezifikationen

FQPF65N06 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.27g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 40A
Power Dissipation-Max 56W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 105 ns
Continuous Drain Current (ID) 40A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Dual Supply Voltage 60V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.16mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 hours ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 56W
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A Tc
Rise Time 160ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 90 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 645 mJ
Height 9.19mm
Width 4.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQPF60N03L VB Spezialisierte heiße ICs 10377
FQPF60N06 FC Spezialisierte heiße ICs 1436
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