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FQT13N06TF Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Weight 188mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Resistance 140mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating 2.8A
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Power Dissipation-Max 2.1W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140m Ω @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Feedback Cap-Max (Crss) 20 pF
Length 6.5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish TIN
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.1W
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A Tc
Rise Time 25ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 8 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 1.6mm
Width 3.56mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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