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FQU10N20CTU Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 9 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Weight | 343.08mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1998 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 200V |
Current Rating | 7.8A |
Power Dissipation-Max | 50W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 11 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A Tc |
Rise Time | 92ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 70 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 50W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360m Ω @ 3.9A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 72 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 7.8A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQU10N20CTU Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "FQU10" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'FQU10'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
FQU10N20 | VB | Spezialisierte heiße ICs | 1000 |
FQU10N20C | FAIRCHI | Spezialisierte heiße ICs | 1518 |
FQU10N20CTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 44000 |
FQU10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 44000 |
FQU10N20L | VB | Spezialisierte heiße ICs | 1065 |
FQU10N20L MOS | VBSEMI | Spezialisierte heiße ICs | 1452 |
FQU10N20LTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2562 |
FQU10N20LTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2721 |
FQU10N20LTU | Rochester Electronics, LLC | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
FQU10N20TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2678 |
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