FQU2N90TU-AM002 Technische Spezifikationen

MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Weight 343.08mg
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A Tc
Rise Time 35ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.7A
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 50W Tc
Turn On Delay Time 15 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 Ω @ 850mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FQU2N100 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 1720
FQU2N100TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50
FQU2N100TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2541
FQU2N100TU ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQU2N100TU IC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 10421
FQU2N50B FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 5030
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FQU2N50BTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5337
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FQU2N50BTU-WS ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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