FSB649 Technische Spezifikationen

FSB649 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 500mW
Terminal Form GULL WING
Base Part Number FSB649
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 300mA, 3A
Transition Frequency 150MHz
Max Breakdown Voltage 25V
Collector Base Voltage (VCBO) 35V
hFE Min 100
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 25V
Terminal Position DUAL
Current Rating 3A
Number of Elements 1
Power Dissipation 500mW
Transistor Type NPN
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Collector Emitter Saturation Voltage 600mV
Frequency - Transition 150MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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FSB649 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 24865
FSB649 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1251
FSB649-NL FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 13061

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