FZT3019 Technische Spezifikationen

FZT3019 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Weight 188mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Terminal Form GULL WING
Frequency 100MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 1W
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Collector Emitter Saturation Voltage 500mV
Collector Base Voltage (VCBO) 140V
hFE Min 100
Length 6.5mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 13 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 80V
Terminal Position DUAL
Current Rating 1A
Base Part Number FZT3019
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 80V
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Height 1.6mm
Width 3.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FZT3019 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 32417
FZT3019 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 12206

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