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GF1M Technische Spezifikationen

GF1M datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einphasen-Diodengleichrichter
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case DO-214AC, SMA
Weight 106mg
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -65°C
Capacitance 15pF
Voltage - Rated DC 1kV
Terminal Form C BEND
Base Part Number GF1M
Element Configuration Single
Diode Type Standard
Power Dissipation 1.8W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A
Operating Temperature - Junction -65°C~175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Max Reverse Voltage (DC) 1kV
Reverse Recovery Time 2 μs
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 1kV
Peak Non-Repetitive Surge Current 30A
Max Forward Surge Current (Ifsm) 30A
Height 2.2mm
Width 2.95mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 2
Diode Element Material SILICON
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 175°C
HTS Code 8541.10.00.80
Subcategory Rectifier Diodes
Terminal Position DUAL
Current Rating 1A
Number of Elements 1
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 5μA @ 1000V
Output Current 1A
Forward Current 1A
Max Surge Current 30A
Forward Voltage 1.2V
Average Rectified Current 1A
Peak Reverse Current 5μA
Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V 1MHz
Reverse Voltage 1kV
Recovery Time 2 μs
Length 4.75mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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