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HGT1S10N120BNS
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HGT1S10N120BNS Technische Spezifikationen
HGT1S10N120BNS datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 44 Weeks |
Mount | Surface Mount, Through Hole |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Max Power Dissipation | 312W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Voltage | 1.2kV |
Current | 35A |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.2kV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.7V |
Turn On Time | 32 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Turn Off Time-Nom (toff) | 330 ns |
Gate Charge | 100nC |
Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Voltage - Rated DC | 1.2kV |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 35A |
Base Part Number | HGT1S10N120 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 298W |
Input Type | Standard |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 35A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Max Breakdown Voltage | 1.2kV |
Test Condition | 960V, 10A, 10 Ω, 15V |
Continuous Collector Current | 55A |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
Switching Energy | 320μJ (on), 800μJ (off) |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
HGT1S10N120BNS Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "HGT1S" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'HGT1S'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
HGT1S10N120BNS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 3141 |
HGT1S10N120BNS | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 1180 |
HGT1S10N120BNST | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 3181 |
HGT1S10N120BNST | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 5213 |
HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor | Einzelne IGBTs | |
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 647 |
HGT1S12N60A4DS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2995 |
HGT1S12N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 578 |
HGT1S12N60A4DS | ON Semiconductor | Einzelne IGBTs | |
HGT1S12N60A4S9A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2687 |
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HGT1S10N120BNS Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, HGT1S10N120BNS Referenzpreis. HGT1S10N120BNS Parameter, HGT1S10N120BNS Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden HGT1S10N120BNS Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden HGT1S10N120BNS Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, HGT1S10N120BNS Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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