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HUF75344G3 Technische Spezifikationen

HUF75344G3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 8MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 285W
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 125ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 46 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Height 20.82mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series UltraFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 55V
Current Rating 75A
Power Dissipation-Max 285W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 57 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 4 V
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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