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HUF75545S3ST Technische Spezifikationen

HUF75545S3ST datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series UltraFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 80V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 75A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 270W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3750pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 90 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 10mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 245
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 270W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 125ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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HUF75229P3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2903
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