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HUF75639P3 Technische Spezifikationen

HUF75639P3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series UltraFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A Tc
Rise Time 60ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 9.4mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 25mOhm
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 56A
Power Dissipation-Max 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25m Ω @ 56A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 56A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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