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HUF75639S3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series UltraFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Power Dissipation-Max 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25m Ω @ 56A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 56A
Drain-source On Resistance-Max 0.025Ohm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 2.084g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 56A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A Tc
Rise Time 60ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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HUF75229P3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2903
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