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HUF76407D3ST Technische Spezifikationen

MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Power Dissipation 38W
Turn On Delay Time 5 ns
Rise Time 32ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 43 ns
Threshold Voltage 1V
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Input Capacitance 350pF
Drain to Source Resistance 77mOhm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case TO-252-3
Weight 260.37mg
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 92mOhm
Max Operating Temperature 175°C
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 38W
Current Rating 11A
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Fall Time (Typ) 45 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On Max 92 mΩ
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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HUF76009D3S FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 778
HUF76009D3S MOS Intersil Spezialisierte heiße ICs 608
HUF76009D3ST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2568
HUF76009D3ST Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2782
HUF76013D3 F Spezialisierte heiße ICs 10500
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