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HUF76439S3ST Technische Spezifikationen

MOSFET 71a 60V 0.014Ohm Logic Level N-Ch

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series UltraFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 71A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 180W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 300ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 180W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2745pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 105 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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