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HUF76639S3ST Technische Spezifikationen

MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 180W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26m Ω @ 51A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 110 ns
Continuous Drain Current (ID) 51A
Drain-source On Resistance-Max 0.027Ohm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series UltraFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 50A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 180W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A Tc
Rise Time 55ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 151 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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