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HUFA75321D3ST Technische Spezifikationen

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 20A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 93W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Tc
Rise Time 55ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 47 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 93W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 66 ns
Continuous Drain Current (ID) 20A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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