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HUFA76407DK8T-F085 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 2.5W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 10V
JEDEC-95 Code MS-012AA
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e4
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 8
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90m Ω @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
DS Breakdown Voltage-Min 60V
FET Feature Logic Level Gate
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