J110G Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / JFETs Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature 135°C TJ
Published 2005
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 310mW
Base Part Number J110
Power - Max 310mW
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 500mV @ 1μA
Resistance - RDS(On) 18Ohms
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 25V
Current Rating 10mA
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 25V
RoHS Status RoHS Compliant
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J110G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - JFETs 2693

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