J113_D26Z Technische Spezifikationen

JFET N-CH 35V 625MW TO92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / JFETs Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Weight 200.998119mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 625mW
Base Part Number J113
FET Type N-Channel
Continuous Drain Current (ID) 2mA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V
Resistance - RDS(On) 100Ohm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 35V
Current Rating 50mA
Element Configuration Single
Drain to Source Voltage (Vdss) 35V
Gate to Source Voltage (Vgs) -35V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 500mV @ 1μA
RoHS Status RoHS Compliant
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J113 MOS Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 1198
J113,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - JFETs 2685
J113,126 NXP USA Inc. JFETs Transistoren
J113-D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - JFETs 2620
J113-D74Z ON Semiconductor JFETs Transistoren
J113-E3 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 2722
J113_D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - JFETs 2736
J113_D26Z Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - JFETs 2729
J113_D27Z Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - JFETs 2794
J113_D27Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - JFETs 2708

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