KSC2752OSTU Technische Spezifikationen

KSC2752OSTU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 19 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Weight 761mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2000
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Number of Elements 1
Power Dissipation 1W
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 60mA, 300mA
Collector Emitter Saturation Voltage 1V
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Height 11mm
Width 3.25mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 400V
Current Rating 500mA
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 400V
Collector Base Voltage (VCBO) 500V
hFE Min 20
Length 8mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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