KSD2012YTU Technische Spezifikationen

KSD2012YTU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 3A
Gain Bandwidth Product 3MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 25W
Element Configuration Single
Transistor Type NPN
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 100
RoHS Status RoHS Compliant
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Die folgenden Teile umfassen  'KSD20' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSD2012-G KEC Spezialisierte heiße ICs 20
KSD2012G FSC Spezialisierte heiße ICs 2689
KSD2012GTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3082
KSD2012GTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2282
KSD2012GTU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD2012Y FSC Spezialisierte heiße ICs 6
KSD2012YTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
KSD2012YTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2722
KSD2012YYDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2546
KSD2012YYDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2701

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