KSE45H8TU Technische Spezifikationen

KSE45H8TU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.67W
Frequency 40MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.67W
Gain Bandwidth Product 40MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Transition Frequency 40MHz
Collector Base Voltage (VCBO) -80V
hFE Min 60
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -60V
Current Rating -8A
Base Part Number KSE45H
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2A 1V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Collector Emitter Saturation Voltage -1V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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KSE45H11 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 509
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KSE45H11TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2964
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