MBD110DWT1G Technische Spezifikationen

MBD110DWT1G datasheet pdf and Diodes - RF product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-Dioden
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Surface Mount YES
Diode Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 7V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 120mW
Diode Type Schottky - 2 Independent
Rep Pk Reverse Voltage-Max 7V
Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~125°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Rectifier Diodes
Terminal Form GULL WING
Current Rating 90mA
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Max Reverse Leakage Current 250nA
Capacitance @ Vr, F 1pF @ 0V 1MHz
Diode Capacitance-Max 1pF
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MBD110DWT1 MOT Spezialisierte heiße ICs 15000
MBD110DWT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - HF 2546
MBD110DWT1G Rochester Electronics, LLC RF-Dioden

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