MBR2550CT Technische Spezifikationen

MBR2550CT datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -65°C
Current Rating 30A
Element Configuration Common Cathode
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 750mV @ 12.5A
Operating Temperature - Junction -65°C~150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Forward Voltage 820mV
Average Rectified Current 30A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 50V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Weight 1.8g
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 50V
Base Part Number MBR2550CT
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 1mA @ 50V
Max Reverse Leakage Current 200μA
Max Surge Current 200A
Current - Average Rectified (Io) 12.5A
Max Reverse Voltage (DC) 50V
Peak Reverse Current 200μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 200A
Max Forward Surge Current (Ifsm) 200A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MBR25060V MOTOROLA IGBT-Module 2743
MBR25100CT TSC Spezialisierte heiße ICs 1943
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MBR25100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation Gleichrichter-Dioden-Array
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MBR25100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Gleichrichter-Dioden-Array
MBR25100FCT PANJIT Spezialisierte heiße ICs 5025
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MBR25150CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation Gleichrichter-Dioden-Array
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