MBRF20H150CTG Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Diode Element Material SILICON
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -20°C
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Position SINGLE
Pin Count 3
Element Configuration Common Cathode
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 680mV @ 10A
Forward Current 20A
Operating Temperature - Junction -20°C~150°C
Application EFFICIENCY
Max Reverse Voltage (DC) 150V
Number of Phases 1
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 150V
Peak Non-Repetitive Surge Current 180A
Max Forward Surge Current (Ifsm) 180A
Length 10.63mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series SWITCHMODE™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature LOW POWER LOSS
Subcategory Rectifier Diodes
Base Part Number MBRF20H150CT
Number of Elements 2
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 50μA @ 150V
Case Connection ISOLATED
Max Reverse Leakage Current 50μA
Max Surge Current 180A
Forward Voltage 870mV
Average Rectified Current 10A
Peak Reverse Current 50μA
JEDEC-95 Code TO-220AB
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Height 16.12mm
Width 4.9mm
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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MBRF200200R GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2506
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